[디지털경제뉴스 최종엽 기자] NXP 반도체는 미국 애리조나주 챈들러에 미국 내 5G RF 전력 증폭기 전용 생산 공장 중 가장 최첨단 시설인 150mm(6인치) RF 질화갈륨(GaN) 팹(Fab)을 오픈했다.
신규 공장은 NXP의 전문성과 대량 생산 노하우를 접목해 산업·항공·방산 시장에서 5G 기지국과 첨단 통신 인프라 확충을 지원하는 효율적 혁신을 가능하게 한다.
5G에서는 안테나당 요구되는 RF 솔루션 밀도가 기하급수적으로 증가했지만, 동일한 박스 크기를 유지하고 전력 소비량을 줄이는 것이 필수적이다. GaN 전력 트랜지스터는 이러한 필수 요건을 충족하기 위한 새로운 기준으로 떠오르면서 전력 밀도와 효율성을 모두 크게 개선하고 있다.
약 20년간 쌓아온 GaN 개발 노하우와 무선통신산업에 대한 광범위한 지식으로 NXP는 차세대 5G 셀룰러 확장을 선도하는 위치에 올랐다. 최고 품질의 GaN 기기를 NXP 고객에게 제공하기 위해 집중한 결과, GaN 기술의 심도 깊은 최적화를 통해 반도체 전자 트래핑을 개선해 고효율과 동급 최고의 선형성을 갖추게 됐다.
NXP의 자체 GaN 팹 구축 전략은 셀룰러 인프라 설계 핵심 역량, 입증된 양산 실적, 전체 품질 공정에서의 일관성과 리더십을 활용해 더 높은 성능 이점을 달성할 수 있는 능력에 기반해 추진됐다.
이 공장은 팹과 현장의 NXP R&D팀 간 협업을 촉진하는 혁신 허브 역할을 하게 된다. NXP 엔지니어들은 현재 및 미래 세대의 GaN 기기를 위한 기술을 더욱 신속하게 개발, 검증 및 보호할 수 있으며, 결과적으로 NXP GaN 기술 혁신에 걸리는 시간을 단축할 수 있다.
챈들러에 위치한 NXP의 신규 GaN 팹은 현재 인증을 받았으며, 2020년 말에 완전 가동된다.
