인피니언, 650V CoolSiC 하이브리드 IGBT 디스크리트 제품군 출시
인피니언, 650V CoolSiC 하이브리드 IGBT 디스크리트 제품군 출시
  • 최종엽 기자
  • 승인 2021.02.17 13:53
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IGBT와 프리휠링 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 통합해 뛰어난 효율 제공
인피니언의 650V CoolSiC 하이브리드 IGBT 디스크리트
인피니언의 650V CoolSiC 하이브리드 IGBT 디스크리트

[디지털경제뉴스 최종엽 기자] 인피니언 테크놀로지스는 650V CoolSiC 하이브리드 IGBT 디스크리트 제품군을 출시했다.

CoolSiC 하이브리드 제품군은 650V TRENCHSTOP 5 IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 결합했다. 우수한 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실로 DC-DC 파워 컨버터와 PFC(역률 보상)에 매우 적합하다. 주요 애플리케이션은 배터리 충전 인프라, 에너지 저장 솔루션, 태양광 인버터, 무정전 전원장치, 서버 및 텔레콤 SMPS 등이다.

CoolSiC 하이브리드 IGBT는 IGBT와 프리휠링 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 패키지에 통합해, 동작 시 거의 일정한 dv/dt 및 di/dt 값으로 스위칭 손실을 크게 낮춘다. 표준 실리콘 다이오드 솔루션과 비교해 Eon은 최대 60%, Eoff는 최대 30%까지 낮춘다.

또 다르게는 출력 전력 요구는 그대로이면서 스위칭 주파수를 40%까지 높일 수 있다. 스위칭 주파수를 높이면 수동 부품의 크기를 줄일 수 있으므로 BOM 비용을 낮출 수 있다. TRENCHSTOP 5 IGBT를 하이브리드 IGBT로 교체하면 설계 변경 없이 매 10kHz 스위칭 주파수에 효율을 0.1% 향상시킬 수 있다.

이들 제품은 순수 실리콘 솔루션과 고성능 SiC MOSFET 디자인 사이의 가교 역할을 한다. 순수 실리콘 디자인과 비교해 하이브리드 IGBT는 전자기 적합성과 시스템 신뢰성을 향상시킨다. 또한 쇼트키 배리어 다이오드의 유니폴라 특성으로 다이오드가 심한 발진이나 기생 턴온의 위험 없이 빠르게 스위칭할 수 있다.

고객들은 TO-247-3핀 패키지나 TO-247-4핀 켈빈 이미터 패키지 중에서 선택할 수 있다. 켈빈 이미터 패키지의 네 번째 핀은 인덕턴스가 매우 낮은 이미터 제어 루프를 가능하게 하고 총 스위칭 손실을 낮춘다.


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