SK하이닉스, ‘12단 적층 HBM3E’ 양산 돌입
SK하이닉스, ‘12단 적층 HBM3E’ 양산 돌입
  • 차수상 기자
  • 승인 2024.09.27 14:53
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현존 최고 성능과 용량 갖춰, D램 단품 칩 40% 얇게 만들어 기존과 동일한 두께로 용량 50% 높여
SK하이닉스가 양산에 들어간 ‘12단 적층 HBM3E’는 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다.
SK하이닉스가 양산에 들어간 ‘12단 적층 HBM3E’는 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다.

[디지털경제뉴스 차수상 기자] SK하이닉스가 현존 HBM 최대 용량인 36GB를 구현한 HBM3E 12단 신제품의 양산에 들어갔다고 밝혔다. SK하이닉스는 양산 제품을 연내 고객사에 공급할 예정이다.

SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했다. 우선 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 거대언어모델(LLM)인 ‘라마 3 70B‘를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다.

SK하이닉스는 또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV 기술을 활용해 수직으로 쌓았다.

여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. SK하이닉스는 핵심 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다.


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