[디지털경제뉴스 차수상 기자] SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작한다. SK하이닉스가 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과다.
SK하이닉스는 “HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다. 초당 최대 1.18TB 데이터를 처리하며, 이는 FHD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다”라고 설명했다.
AI 메모리는 극도로 빠른 속도로 작동해야 하는 만큼 효과적인 발열 제어가 관건이다. 회사는 이를 위해 신제품에 어드밴스드 ‘MR-MUF’ 공정을 적용, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다.
특히, SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어도 높여 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다.
SK하이닉스는 “엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하려면 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업들은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있으며, HBM3E는 이를 충족시켜 줄 현존 최적의 제품이 될 것이다”라고 밝혔다.
SK하이닉스 HBM 비즈니스 담당 류성수 부사장은 “SK하이닉스는 세계 최초 HBM3E 양산으로 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며, “그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객 관계를 탄탄히 하면서 ‘토털 AI 메모리 프로바이더’로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 말했다.
